有機(jī)無(wú)機(jī)雜化鈣鈦礦作為發(fā)展最快、最有前途的下一代薄膜類(lèi)光伏候選材料,已經(jīng)在全球光伏領(lǐng)域引發(fā)了極大的研究熱潮。

自2009年鈣鈦礦作為吸光材料應(yīng)用于太陽(yáng)能電池以來(lái),功率轉(zhuǎn)換效率不斷取得突破,已從最初的3.8%提高到25.2%,與單晶硅電池相當(dāng)。

然而,除了優(yōu)異的光電性能,真正限制鈣鈦礦太陽(yáng)電池(PVSCs)戶(hù)外應(yīng)用的重要因素還包括鉛離子的毒性,鈣鈦礦成膜的不可控制性,不理想的器件穩(wěn)定性,以及反溶劑工藝和鈣鈦礦脆性等限制下實(shí)現(xiàn)大面積可穿戴電池的巨大難度。

南昌大學(xué)陳義旺教授及談利承教授研究團(tuán)隊(duì)針對(duì)鈣鈦礦太陽(yáng)電池離子遷移和水氧侵蝕導(dǎo)致穩(wěn)定性問(wèn)題,提出“穿針引線”策略全面提高鈣鈦礦太陽(yáng)電池穩(wěn)定性和耐彎折性。提出了碳納米管和含氟半導(dǎo)體以及AIE分子填補(bǔ)鈣鈦礦太陽(yáng)電池晶界缺陷,抑制了離子遷移和實(shí)現(xiàn)晶界鏈接,大幅提高器件穩(wěn)定性 (Adv. Energy Mater. 2019, 9, 1900198, Adv. Funct. Mater. 2019, 29, 1808059, Chem. Commun. 2016, 52, 5674)。

提出了彈性體修復(fù)鈣鈦礦晶界缺陷,賦予活性層耐彎折性 (Adv. Funct. Mater. 2017, 27, 1703061)。通過(guò)貽貝仿生交聯(lián)氧化物納米晶克服了無(wú)機(jī)界面層固有的脆性,原子層層沉積方法制備高致密無(wú)機(jī)界面層,提高鈣鈦礦太陽(yáng)電池的穩(wěn)定性(Adv. Mater. 2017, 29, 1606656, Chem. Commun. 2019, 55, 3666, Chem. Commun. 2018, 54, 471)。

提出了自密性高分子封裝鈣鈦礦界面層,阻止了水氧對(duì)鈣鈦礦層的侵蝕,引入EVA膠合界面層,有效地改善鈦礦太陽(yáng)電池的長(zhǎng)期穩(wěn)定性、阻水性以及彎曲耐久性,從而制備出剛性和柔性的25 cm2太陽(yáng)能模塊(Adv. Funct. Mater. 2019, 29, 1902629)。

采用含氟增強(qiáng)劑摻雜的PEDOT:PSS透明電極,同時(shí)滿(mǎn)足高電導(dǎo)率、高透光率以及良好的機(jī)械柔韌性,制備柔性鈣鈦礦太陽(yáng)電池模組 (Joule 2019, 3, 2205-2218),并通過(guò)少量PU與PbI2形成穩(wěn)定墨水,很好控制了二步法刮涂工藝,制備高效穩(wěn)定大面積鈣鈦礦太陽(yáng)電池模組(J. Phys. Chem. C 2020, 10.1021/acs.jpcc.0c00908)。

成熟的大面積鈣鈦礦薄膜制備技術(shù)始終是限制PVSCs商業(yè)化的關(guān)鍵因素,雖然能夠衍生為卷對(duì)卷印刷等大規(guī)模制備工藝的順序沉積法已經(jīng)被證明是獲得高性能PVSCs的有效策略,但由Gr?tzel教授開(kāi)創(chuàng)的傳統(tǒng)兩步法僅適用于介孔結(jié)構(gòu)器件,而二氧化鈦的高溫?zé)Y(jié)工藝又限制了它在柔性設(shè)備中的應(yīng)用。

另一方面,在平面PVSCs中,致密的碘化鉛(PbI2)薄膜會(huì)嚴(yán)重抑制碘化甲基銨(MAI)溶液的滲透,進(jìn)而導(dǎo)致鈣鈦礦的不完全轉(zhuǎn)變。

大多數(shù)鈣鈦礦也只能停留在相變初期,就會(huì)在離心力作用下從基材表面甩出,導(dǎo)致溶液利用率低下。而目前的大部分研究只是局限于減少鈣鈦礦中未反應(yīng)的PbI2殘留,例如優(yōu)化沉積因子,調(diào)節(jié)鈣鈦礦的形成途徑和碘化鉛薄膜形貌,卻幾乎沒(méi)人關(guān)注鈣鈦礦溶液的利用率問(wèn)題。

南昌大學(xué)陳義旺和談利承教授構(gòu)建自主縱向有機(jī)支架控制鈣鈦礦晶粒生長(zhǎng)和穩(wěn)定性
圖1 自聚合甲基丙烯酸甲酯(sMMA)的作用機(jī)理

 

近日,南昌大學(xué)陳義旺教授和談利承教授團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)了一種通過(guò)在碘化鉛中散布原位自聚合甲基丙烯酸甲酯(sMMA)構(gòu)建的新型自主縱向支架,該支架可以將鈣鈦礦溶液限制在有機(jī)網(wǎng)絡(luò)內(nèi),并提供更高效的成核位點(diǎn)以促進(jìn)晶體沿支架縱向生長(zhǎng)。此外,sMMA低聚物能夠在鈣鈦礦薄膜退火過(guò)程中進(jìn)一步聚合并填充鈣鈦礦晶界,以形成能夠鈍化缺陷,釋放機(jī)械應(yīng)力,抑制離子遷移和水/氧滲透的交聯(lián)網(wǎng)絡(luò)。最終,基于sMMA修飾的MAPbI3作為光吸收層的平面PVSCs顯示出優(yōu)異的光電轉(zhuǎn)換效率(20.12%)和出色的操作穩(wěn)定性,且滯后效應(yīng)可忽略不計(jì)。更重要的是,相應(yīng)的柔性設(shè)備在耐受5000次循環(huán)彎曲后仍能保持初始效率的72%以上。研究者相信,該進(jìn)展為柔性電子領(lǐng)域中大面積PVSCs的商業(yè)化開(kāi)發(fā)開(kāi)辟了一條新的途徑。

相關(guān)本論文發(fā)表在Advanced Materials (Adv. Mater. 2020, DOI: 10.1002/adma.202000617)上,題為“Controlling Crystal Growth via Autonomously Longitudinal Scaffold for Planar Perovskite Solar Cells”。本文通訊作者為南昌大學(xué)陳義旺教授和談利承教授。第一作者為南昌大學(xué)碩士研究生段曉鵬,共同第一作者為南昌大學(xué)碩士研究生李想。

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