眾所皆知,二維石墨材料(2D-GMs)的制備和應(yīng)用一直是科學(xué)研究和工業(yè)應(yīng)用的熱門(mén)領(lǐng)域。然而,室溫合成2D-GMs仍然是一個(gè)遙不可及的目標(biāo),尤其是采用電化學(xué)合成手段。

到目前為止,關(guān)于2D-GM的電化學(xué)合成僅限于將懸浮的石墨烯薄片電沉積到電極上,以及剝落石墨工作電極。

盡管電化學(xué)途徑可以通過(guò)對(duì)反應(yīng)前軀體的選擇進(jìn)行原位摻雜,但迄今為止,沒(méi)有任何電化學(xué)手段能夠在低工作電壓下制備高度有序的2D-GMs。

這個(gè)巨大的瓶頸主要源于:沒(méi)有電極的表面是原子級(jí)光滑的,從而導(dǎo)致2D-GMs在電極表面形成粗糙的核,并以Volmer-Weber模式(即島狀生長(zhǎng)模式)生長(zhǎng),而不是通過(guò)Frank-van der Merwe機(jī)制(即層狀生長(zhǎng)模式)在表面沉積平面碳。

液態(tài)金屬(LM)具有高導(dǎo)電性和超光滑的表面,不僅十分適用于電化學(xué)氧化還原合成,還為形成平面結(jié)構(gòu)提供了極好的原子級(jí)平滑的模板。

同時(shí),由于具有非極性性質(zhì),液態(tài)金屬?zèng)]有界面力,從而允許合成的2D材料產(chǎn)生自剝落。

此外,液態(tài)金屬是促進(jìn)C-C鍵形成的天然催化劑,并與電解質(zhì)不互溶,與許多電化學(xué)系統(tǒng)兼容。

因此,液態(tài)金屬是一種極具潛力的催化電極,能夠?qū)⒁簯B(tài)有機(jī)小分子電化學(xué)合成2D-GMs。

其中,Ga基液態(tài)金屬(Ga-LM)因其熔點(diǎn)接近室溫,毒性低,催化活性可調(diào)等優(yōu)點(diǎn),吸引了研究人員的廣泛關(guān)注。

更重要的是,Ga-LM中有三種氧化態(tài)存在,即 Ga(0),Ga(I)和Ga(III),因而具備形成C-C鍵所必需的歧化催化行為。

【成果展示】

2017年,任職于澳大利亞皇家墨爾本理工大學(xué)的Kourosh Kalantar-Zadeh教授和Torben Daeneke教授便已經(jīng)聯(lián)合報(bào)道了一種利用液體金屬為溶劑,在室溫下合成一系列金屬氧化物二維材料的普適性策略。

研究成果發(fā)表在Science上(DOI: 10.1126/science.aao4249),吸引了科研人員的廣泛關(guān)注。這項(xiàng)工作為開(kāi)發(fā)金屬氧化物二維材料開(kāi)辟了新的思路,并可以拓展到一系列常規(guī)方法不適應(yīng)的二維金屬氧化物的制備。

因此,在前期研究的基礎(chǔ)上,澳大利亞新南威爾士大學(xué)Kourosh Kalantar-Zadeh教授團(tuán)隊(duì)通過(guò)將液態(tài)金屬作為模板電極,成功實(shí)現(xiàn)了從普通液態(tài)有機(jī)小分子前驅(qū)體室溫電化學(xué)合成2D-GMs的壯舉。相關(guān)成果以“Liquid-Metal-Templated Synthesis of 2D Graphitic Materials at Room Temperature”發(fā)表在材料領(lǐng)域頂刊Advanced Materials上。

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【圖文詳情】

一、理論預(yù)測(cè)和電化學(xué)裝置設(shè)計(jì)

首先,作者采用密度泛函理論(DFT)計(jì)算液態(tài)金屬對(duì)不同小分子自由基的吸附能和解離能(圖1A)。計(jì)算結(jié)果表明,在摻雜劑存在的情況下,自由基的形成和吸附更容易產(chǎn)生。具體來(lái)說(shuō),相比未摻雜的Ga-LM,In和Sn等金屬摻雜的Ga-LM更支持有機(jī)小分子中C-H鍵解離(圖1B),這表明根據(jù)Bell-Evans-Polanyi原理,摻雜的Ga-LM表面上的石墨烯邊緣脫氫的活化能壘更低,從而促進(jìn)了C 原子的重排,為2D-GM的生長(zhǎng)提供了良好的平臺(tái)。

基于上述的理論預(yù)測(cè),作者提出了三種電化學(xué)系統(tǒng),以從多種液態(tài)有機(jī)前驅(qū)體中生長(zhǎng)2D-GM(圖1C,D)。其中,第一種配置(圖1D(i))是二電極體系,以Ga-LM為工作電極,金絲為對(duì)電極,電解質(zhì)為0.20 M NaOH水溶液。由于NaOH可以溶解Ga金屬表面的氧化物層,因此暴露出光學(xué)反射界面。第二種配置(圖1D(ii))則分別采用Ga-LM噴涂的銅(Cu)和氟摻雜的氧化錫(FTO)為正極和負(fù)極,并將兩個(gè)電極平行放置在與有機(jī)前驅(qū)體混合的非水系電解質(zhì)中,間距為20mm。在此配置中,非水系電解質(zhì)為含有0.1 M 六氟磷酸四丁銨(NBu4PF6)的DMF溶劑,二維薄片的自剝落或觸摸印刷取決于所施加的電勢(shì)。第三種配置(圖1D(iii))以負(fù)載120 μL Ga-LM液滴的FTO為陰極,不鋼絲網(wǎng)為陽(yáng)極,并垂直放置在裝有0.010 M NaOH和有機(jī)前驅(qū)體混合液的錐形管中。兩個(gè)電極的垂直距離為2.5 cm,施加電壓范圍為-0.6 V到-0.9 V。

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圖1. 理論計(jì)算和合成2D-GM材料的電化學(xué)電池配置的設(shè)計(jì)。

 

二、2D-GM在不同電化學(xué)系統(tǒng)中的生長(zhǎng)過(guò)程探究

在第一種電池配置中,一旦施加了陽(yáng)極電勢(shì),就會(huì)在液態(tài)金屬表面產(chǎn)生一個(gè)電勢(shì)梯度,從而引起表面電荷分布的變化(圖2A-i)。

相應(yīng)地,由于馬蘭戈尼(Marangoni)效應(yīng),在電極表面產(chǎn)生了湍流,如圖2A-ii中的黃色箭頭所示。隨著施加電勢(shì)的增加,系統(tǒng)中的這種湍流會(huì)不斷上升,直至開(kāi)始變形并推動(dòng)液態(tài)金屬(圖2A-iii),這些相互作用決定了碳在液態(tài)金屬表面上的形成以及駐留。如圖2Bi-iii所示,施加0.70 V電壓八分鐘后,Ga-LM表面出現(xiàn)了一個(gè)深褐色的碳層并隨著Marangoni流的方向遷移。由于缺乏界面力,碳層從液態(tài)金屬表面分離(圖2B-iv),從而可以從溶液中直接收集2D-GM材料。而且,當(dāng)電位≥1.0 V時(shí),Ga-LM液滴會(huì)在電場(chǎng)的作用下拉向陰極,Marangoni效應(yīng)變得更加明顯(圖2C)。光學(xué)觀察到大于50 μm的薄片(圖S7和S8,支持信息)。

計(jì)時(shí)電流(j,mA cm-2)曲線顯示(圖2D),與Ga和EGaIn(共晶Ga-In)液態(tài)金屬相比,Galinstan(共晶Ga-In-Sn)上的電流密度更高,這說(shuō)明通過(guò)添加Sn可以實(shí)現(xiàn)高電催化活性,這與DFT預(yù)測(cè)的結(jié)果一致(圖1B)。

拉曼光譜顯示,不同有機(jī)前驅(qū)體獲得的產(chǎn)物都表現(xiàn)出無(wú)定型碳的兩個(gè)特征峰,G峰和D峰,但是峰位置和寬度略有變化(圖2E-F)。而且,前驅(qū)體中含氧基團(tuán)的存在會(huì)導(dǎo)致這些碳片中的原子無(wú)序。透射電子顯微鏡(TEM)分析顯示,這些碳薄片具有平面多孔結(jié)構(gòu),孔徑范圍為3.0至20 nm(圖2G-H)。

所選區(qū)域電子衍射(SAED)圖案顯示兩個(gè)不同的衍射環(huán),分別對(duì)應(yīng)于非晶碳的(002)和(100)平面(圖2I)。此外,原子力顯微鏡(AFM)結(jié)果顯示,碳片層的平均厚度約為≈1.5 nm(圖2J)。作者認(rèn)為,這種多孔碳平面結(jié)構(gòu)是由于C-C鍵形成過(guò)程中的Ga-LM表面湍流而產(chǎn)生的。

由于表面湍流和Marangoni流動(dòng),液態(tài)金屬的自由移動(dòng),從而形成了多個(gè)疇,不連續(xù)的多孔碳膜。因此,為了提高薄膜的結(jié)晶度和連續(xù)性,應(yīng)減少液態(tài)金屬的變形和表面Marangoni流動(dòng),也就是說(shuō)液態(tài)金屬的表面應(yīng)光滑無(wú)位移,并且在其整個(gè)表面上應(yīng)具有均勻的場(chǎng)分布。

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圖2. 第一種裝置中陽(yáng)極液體金屬表面2D-GMs材料的形成過(guò)程和表征:(A)液態(tài)金屬表面的不同機(jī)理示意圖,(B)施加0.7V電壓,Galinstan(共晶Ga-In-Sn)表面形成2D-GMs過(guò)程的光學(xué)圖片以及(C)0.9V 電壓下Galinstan流的圖片。(D)與2D-GMs形成相關(guān)的計(jì)時(shí)電流曲線,在0.7V 電壓下從不同有機(jī)小分子前驅(qū)體(E)和EtOH前驅(qū)體(F)獲得的產(chǎn)物的Raman圖譜。(G-I)為相應(yīng)2D-GM產(chǎn)物的TEM圖和SEAD圖譜,(J)為AFM圖。

鑒于此,作者設(shè)計(jì)了第二種電池配置。當(dāng)施加電壓≥0.80 V時(shí),可以清楚地觀察到平面碳結(jié)構(gòu)在Ga-LM的表面形成和自剝落。

而且,這些碳片是自支撐的,可以電泳遷移并沉積在FTO陰極上。而當(dāng)用一塊扁平金屬代替液態(tài)金屬電極時(shí),卻未觀察到碳層的形成,這證實(shí)了碳薄片是從液態(tài)金屬表面開(kāi)始形成的。拉曼光譜結(jié)果(圖3A)表明,由甲醇(MeOH),EtOH和吡啶(PY)等有機(jī)小分子前驅(qū)體所形成的2D-GM具有顯著的G和2D帶,表現(xiàn)出多層石墨烯狀結(jié)構(gòu)。

FTIR和XPS測(cè)試結(jié)果證實(shí),2D-GM中存在相對(duì)較高含量的飽和碳域(圖3B-C)。TEM圖像(圖3D-E)進(jìn)一步表明所獲得的2D-GM具有無(wú)針孔層,其晶區(qū)的層間間距為0.33±0.01 nm。從圖3E-F可以看出,2D-GM具有類(lèi)還原氧化石墨烯的石墨結(jié)構(gòu),厚度為2.7 nm,其002晶格條紋由七到八層組成。

為了從液態(tài)金屬表面提取碳層,作者使用了壓電平臺(tái)(分辨率為0.50 nm)將碳“打印”到SiO2-Si晶片上(圖3H-J)。研究結(jié)果表明,2D-GM沉積層的厚度可以通過(guò)電沉積期間施加的電壓的大小來(lái)調(diào)控,最薄可達(dá)到0.70 nm,對(duì)應(yīng)于單層氧化石墨烯結(jié)構(gòu)。此外,由于EtOH和PY在液態(tài)金屬上石墨烯片的邊緣具有最低的自由基附著反應(yīng)能量,所形成的2D-GM質(zhì)量相對(duì)較高。

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圖3. 采用第二種電化學(xué)裝置沉積生成的2D-GMs 材料表征:(A-F)分別為Raman、FTIR、XPS圖譜,以及TEM和AFM圖。(H)為液態(tài)金屬表面上形成均勻碳層的示意圖。(H)用于從液態(tài)金屬表面提取碳層的壓電臺(tái)示意圖。(J)碳印刷工藝的截面圖。

在第三種構(gòu)型中,生產(chǎn)的2D-GM材料的拉曼特征類(lèi)似于氧化石墨烯(圖4A-B),并且在-0.60 V的低電勢(shì)下可以用拉曼觀察到碳平面結(jié)構(gòu)的形成。值得注意地是,由于對(duì)電極保持最小的電壓梯度,因此在整個(gè)液態(tài)金屬表面上未發(fā)現(xiàn)第一種配置中的湍流。因此, EtOH前驅(qū)體在-0.70 V時(shí)可以生成具有光滑表面和約2.7 nm厚度的2D-GM材料(圖4C-E)。

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圖4. 采用第三種電化學(xué)裝置生成的2D-GM材料表征:(A-B)Raman圖譜,(C)HRTEM圖片,(D)SEAD和(E)AFM圖譜。

 

【小結(jié)】

總之,液態(tài)金屬具有非凡的界面化學(xué)性質(zhì),可用于在室溫下破壞有機(jī)分子中的C-O,C-N和-H鍵并將其重構(gòu)為石墨型C-C鍵。研究表明,液態(tài)金屬可以有效地應(yīng)用于電化學(xué)反應(yīng),將有機(jī)小分子前驅(qū)體電化學(xué)合成各種含碳2D-GM材料,例如從類(lèi)石墨烯的平面到高度多孔的2D-GM碳薄片,以及從單層到多層等等。作者指出, 這種基于液態(tài)金屬電極室溫和低電勢(shì)電化學(xué)合成2D-GM概念,可以擴(kuò)展到未來(lái)量身定制碳片層的諸多領(lǐng)域及其應(yīng)用。這項(xiàng)工作不僅為低能耗、室溫催化以及在低能耗和室溫下重建有機(jī)分子提供了新的途徑,而且可能會(huì)對(duì)化學(xué)工業(yè)過(guò)程,如聚合、高價(jià)值副產(chǎn)物的生產(chǎn)和碳捕獲等產(chǎn)生重要的影響。

參考文獻(xiàn):

Liquid-Metal-Templated Synthesis of 2D Graphitic Materials at Room Temperature. Adv. Mater. 2020, 2001997. DOI:10.1002/adma.202001997

原文鏈接:

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.202001997

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