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探究導(dǎo)電聚合物中電荷傳輸與超結(jié)晶度的關(guān)系
結(jié)晶度（g）用來表示聚合物中結(jié)晶區(qū)域所占的比例，聚合物結(jié)晶度變化的范圍很寬，一般從30%~85%。 同一種材料，一般結(jié)晶度越高，分子鏈排列越規(guī)則，就需要更高的溫度來破壞，因此熔點也越高。從不同的加工方法得到的不同形態(tài)混淆了對導(dǎo)電聚合物中電荷輸運的基本理解。導(dǎo)電聚合物中電荷傳輸和超結(jié)晶度的已知關(guān)系表明，較高的g會在材料的電子帶隙中誘導(dǎo)出更多的狀態(tài)，從而限制了導(dǎo)電聚合物中的電荷傳輸。這些電子狀態(tài)顯示為在能量空間中呈高斯形狀分布，其寬度（w）被定義為高能障礙。雖然已經(jīng)建立了一些基于高斯DOS的電荷傳輸…
